在完成MOS管芯片生产后，需要给出MOS管芯片加外壳，这就是MOS管封装。封装外壳主要起到支撑、保护和冷却的作用。同时它还可以为芯片提供电气连接和隔离，这将提供电气连接和隔离MOS管件与其它元件形成完整的电路。

不同的封装，不同的设计，MOS管道的规格和各种电气参数会有所不同，它们在电路中的作用也会有所不同；此外，在封装或电路设计中MOS管理选择的重要参考。

MOS管封装分类

按照安装在PCB划分板上的方法，MOS管芯片封装主要有两类：插入式(ThroughHole)和表面贴装(SurfaceMount)。

插入式就是MOSFET的管脚穿过PCB板的安装孔和焊接PCB板上。常见的插入式封装包括：双列直插式封装(DIP)，晶体管形状封装(TO)，插针网格阵列封装(PGA)三种样式。

插入式封装

表面贴装是MOSFET焊接管脚和散热法兰PCB板表面的焊盘。典型的表面贴装包括：晶体管的形状(D-PAK)，晶体管外形小(SOT)，小外形封装(SOP)，方形扁平封装(QFP)，带引线芯片载体的塑料密封(PLCC)等。

表面贴装式封装

随着技术的发展，主板、显卡等PCB板材采用直接封装方式越来越少，表面贴装方式也越来越多。

1、双列直插式封装(DIP)

DIP包装中有两排引脚，需要插入DIP在结构芯片插座上，其派生方式为SDIP(ShrinkDIP)，也就是说，双入双入线封装比较DIP针脚密度高6倍。

DIP包装结构有：多层陶瓷双列直插DIP，单层陶瓷双列直插DIP，引线框架式DIP(包括玻璃陶瓷封接、塑料包装结构、陶瓷低熔玻璃封接)等。DIP包装的特点是很容易实现PCB穿孔焊接板与主板兼容性好。

但由于其包装面积和厚度较大，插拔过程中容易损坏引脚，可靠性较差；同时，由于工艺的影响，在电子行业高度集成的过程中，引脚一般不超过100个，DIP封装逐渐退出历史舞台。

HMILU案例：

（1）、DIP32pin锁紧座

（2）、 DIP20pin-300mm老化座

2、晶体管外形封装(TO)

属于早期包装规格，如TO-3P.TO-247.TO-92.TO-92L.TO-220.TO-220F.TO-251等都是插入式封装设计。

TO-3P/247:中高压，大电流MOS管道常用的包装形式，产品具有耐压性高、抗穿性强等特点。

TO-220/220F：TO-220F全塑封装，安装在散热器上时无需加绝缘垫；TO-220带金属片与中脚相连，安装散热器时要加绝缘垫。这两种封装风格MOS管道外观相似，可互换使用。

TO-251:包装产品主要用于降低成本和体积，主要用于中压大电流600A以下，高压7N以下环境。

TO-92：只有低压封装MOS管(电流10A耐压值为60V以下)和高压1N为降低成本而采用60/65。

近年来，由于插入式封装工艺焊接成本高，散热性能不如贴片产品，市场对表面贴片的需求不断增加，这也使得TO封装发展到表面贴装封装。TO-252(又称之为D-PAK)和TO-263(D2PAK)是表面贴装封装。

TO252/D-PAK是目前主流封装之一，常用于功率晶体管和稳压芯片的封装。

采用该封装方式的MOSFET有3个电极，栅极(G)、漏极(D)、源极(S)。

其中漏极(D)引脚不需要切割，但背面的散热板用于泄漏(D)，直接焊接在PCB一方面，它用于输出大电流，另一方面，它通过PCB散热;所以PCB的D-PAK有三个焊盘，漏极(D)焊盘较大。

TO-263是TO-220的变体主要是为了提高生产效率和散热，支持150的高电流和电压A以下，30V上述中压大电流MOS管道比较常见。

除了D2PAK(TO-263AB)之外，还包括TO263-2.TO263-3.TO263-5.TO263-7等样式TO-263是从属关系，主要是引脚数量和引脚间距不同。

HMILU案列：

（1）、TO46（圆4K）老化座

（2）、 TO263-5L翻盖测试座

（3）、TO252-3L翻盖双层板开尔文测试座

3、插针网格阵列封装(PGA)

PGA(PinGridArrayPackage)芯片内外有多个方形插针，每个方形插针沿着芯片的四间隔一定距离排列，根据管脚的数量，可围成2~5圈。安装时，将芯片插入专用芯片PGA测试座即可，具有插拔方便、可靠性高的优点，能适应较高的频率。

PGA封装样式

其芯片基板多为陶瓷材料，有的用特殊的塑料树脂做基板。在技术上，引脚中心距离通常为2.54mm，从64到447不等。

PGA封装的特点是包装面积(体积)越小，能承受的功耗(性能)越低，反之亦然。这种封装芯片在早期更为常见，主要用于CPU英特尔80486等大功耗产品的封装，Pentium均采用此封装风格；

HMILU案例：

PGA24pin-1.27mm翻盖式开天窗测试座