带你了解RF射频芯片行业应用以及射频芯片测试重点需求
随着通信技术的变化和新应用领域的出现，射频前端芯片的复杂性不断提高，当前随着5G以及WIFI6升级高速通信标准，新的RF芯片广泛应用于手机、平板电脑、通信基站等通信平台。RF芯片测试目前对射频测试座的需求越来越高，主要是RF在极端环境下，芯片将使用老化测试、功能测试和特殊测试，这也对RF射频芯片测试座提出了更高的测试要求。
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RF如何制作射频芯片测试座？产品设计依赖于数据，包括芯片PIN脚、尺寸（长度、宽度和厚度）、芯片间距、芯片形状、芯片运行频率和相应的插入损耗。如果RF芯片功率大，可能需要提供过流需求。
在鸿怡电子测试座socket实际应用中，射频集成电路领域的芯片测试座，主要为市场提供射频开关，MCU微控制器芯片、射频功率等射频分立器件及各种模块测试座产品，低功耗蓝牙微控制器芯片测试座
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重点关注：
射频芯片的主要测试指标有驻波、插入损失、中心频率、带宽、带内波动、带外抑制、群延迟等。测试的难点在于:1)被测装置越来越小，测试频率越来越高，很多装置尺寸小于1mm，测试频率高达40GHZ以上；2)测量精度要求很高，板卡研发难度大。
S11表示的就是回波损耗，即有多少能量被反射回源端（Port1），这个值越小越好，一般建议S11<0.1，即一20db，S21表示插入损耗或正向传输系数，也就是有多少能量被传输到目的端（Port2）了，这个值越大越好，理想值是1，即0db，S11越大，说明信号传输损耗越低，传输的效率也就越高
目前市场上比较受欢迎的射频芯片封装类型是QFN封装，小编帮大家整理了几款比较常见的作为参考：
1、 QFN32pin-0.5mm-5×5mmshepin翻盖测试座socket
2、 QFN48pin-0.5mm-7×7mm射频芯片合金探针测试座socket
要求：达到3GHZ频率
电流200mA
3、QFN64pin-0.5mm-9×9mm射频芯片socket测试座（加接地铜块）
性能参数：
工作频率：8GHZ@1DB；
工作温度：-55℃~155℃；
单PIN电流：1A；
功率：3W；
接触阻抗：≤100mΩ
4、LGA30pin-1.27mm-（11.1×20.3mm）射频芯片高频探针测试座
应用：射频频芯片测试
性能要求：频率最高10GHZ,
插损小于1db,
驻波小于-15db,
电流630mA。
5、WiFi射频模块37pin-0.8mm-12×14mm测试座socket
6、BGA291pin-0.65mm射频芯片高频测试座socket
1、工作温度：-55℃~155℃@5000h；
2、针板材质：陶瓷peek；外壳材质：铝合金；
3、探针镀覆：3μ" Au over 50-100μ" Ni（鍍金3μ",鎳底50~100μ"）；
4、单PIN额定电压&电流：直流12V&1.0A；
5、耐压：AC700V@1min； Dielecteic Withstanding Voltage For 1 Minute AT AC700V
6、接触电阻：≤100mΩ；
7、绝缘电阻(insulation resistance)：1000MΩ Min At DC 500V ；
8、频率8GHZ；
9、机械寿命：≥10W次；
