PDFN/TOLL/TO等封装的大功率半导体器件MOS场效应管如何进行老化测
PDFN/TOLL/TO等封装的大功率半导体器件MOS场效应管如何进行老化测试
半导体元器件及第三代半导体是当今的半导体产业专业性要求的热门，同样是在我国半导体产业中最有期待可以超越全球先进技术的各个领域其中之一。
如今诸多国内电力电子器件生产商早已在原材料、设计方案、生产制造、测封等各个阶段取得成功突出重围，慢慢产生自主可控的完善产业发展链。但在行业最上游的高档封装设备行业，却仍以国外企业为主导，为加速推动电力电子器件高档封装，制造设备国产化进程早已刻不容缓。
伴随着电力电子器件时代到来，ClipBond封装工艺在此可以是大有可为，相对来说数字集成电路来讲，电力电子器件并非纯粹追求完美线距的缩小，且生命周期长，市场空间大，可应用于几乎所有的电子制造业，包括工业控制系统、通信、消费电子、新能源、汽车、轨道交通、智能电网等。
在我国做为世界最大的电力电子器件消费的国家，通过数年自主研发和引进技术消化吸收外界技术性，在我国电力电子器件行业的工艺技术水平不断突破，早已在功率二极管、三极管、晶闸管、中低压MOSFET、电源管理IC等行业具有一定竞争力。
为了提高分立器件的合格率和稳定性，设立器件封装与检测公司企业已经在为新产品开发更现代化的封装工艺及封装技术。在大电流、高电压等应用领域要求激发下，以ClipBond为表示的最新型分立器件封装工艺短时间兴起，其具有提升电流量承重能力、提升器件板级稳定性、有效降低器件热阻、提升封装效率等优势，已成为国内诸多流行电力电子器件生产商把握的关键封装工艺专业性，并在工业控制系统、新能源汽车等行业广泛得到应用。
专门针对对功率器件封装技术提出了新的要求小型化、功能系统化、模块化封装以及大电流的特点我司设计方案生产了PDFN5*6、PDFN3333、TOLL-8*10等封ClipBonding封装的老化测试座或者说测试夹具SOCKET。对于需求量大、电流大、耐温高、自动化等特点把老化测试座或者说测试夹具。该老化座采用PEI耐高温塑胶材料注塑成型，适用于长时间高温高湿环境下老化（htol/hast）且交期短；采用按压式结构，适用于自动化大批量放取MOS场效应管器件，大大提高检测效率，从而提升日产能。
下面为适配芯片
封装为PDFN-8L尺寸8*8。是升级代替TO-220/263的20%，都是替代升级SOT-23-5/6的70%。特点是超博、N沟道SGTMOS大电流电力电子器件。
下图是鸿怡电子设计的相应老化座/老化夹具
PDFN/TOLL大电流大功率老化座特点：
① 采用双头测试探针，寿命高，维修容易，PCB板可重复利用；
② 子外壳采用特殊的工程塑胶，强度高、寿命长；
③ 采用大电流进口镀镍金pogopin，过流能力强，接触阻抗小、弹性好、寿命长；
④ 金层加厚，触点加厚电镀，接触稳定超低接触阻抗、抗氧化程度高；
⑤ 用于PDFN/TOLL/TO/SOT等封装的大功率MOS场效应管器件；
大电流大功率老化座的材料特性：
①socket本体：PEI；
②探针材料：铍铜；
③针镀层：镍金；
④作压力：30.0g@pin，PIN越多压力越大；
⑤绝缘阻抗：1,000MΩ 500VDC；
⑥接触阻抗：＜100mΩ；
⑦使用温度：-55℃~175℃@3000小时；
⑧机械寿命：15000次；
此外鸿怡电子还有包括下列产品的老化测试座
PDFN5*6封装的n+p双沟AP15G04DF场效应管mos管老化座。
PDFN3333封装N通道VS3618BE场效应管MOS管老化座。
PDFN3*3封装以PDFN5*6封装N沟道MOS场效应管老化夹具。
TOLL-8*10封装的东芝TK065U65Z场效应管MOS管老化座。
此外还支持非标准封装的IC老化测试座一件起订服务，需求量庞大的情况下可采用开模具注塑的形式降低生产成本的同时缩短生产周期。
订购热线：13823541217
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