功率半导体芯片的电感测试

功率半导体芯片的电气响应时间一般为µs甚至是ns级，如IGBT电子和空穴的寿命分别为80µs和1µs，而二极管是6µs和0.6µs。热量在芯片中的传热时间也是µs水平，设备特性和关键参数的测量几乎都是通过准确测量电气参数来获得的，比如通过小电流下饱和压降法进行温度结合。功率循环试验技术面临的一大挑战是实现高频、高精度、抗干扰的测量。

电气测量噪声的功率循环的基本电路。虽然整个电路非常简单，但它还涉及到连接线的结构、电路和母线的精细设计，以尽量减少整个电路的寄生电感Ls。在功率循环测试中，通常需要在很短的时间内，比如美国的商用功率循环设备µs负载电流通过开关切除。当电流关闭时，寄生电感的存在会产生过电压U=Ls*di/dt，特别是当需要切断的电流较大时，如4500V3000A压接型IGBT器件。该过电压作用于控制开关和测量电流源的两端，不仅影响控制开关的特性，还影响测量电流源的输出能力和稳定性。

研究表明，测量电流源的稳定性对结温测量的准确性有很大影响。电路寄生电感和控制开关的设计也会影响测量电路的抗干扰能力。任何测量电路都会受到测量噪声的影响。最大限度地减少其幅度和影响是一个挑战，必须关注。为某30kW1500A和90kW3000A测量系统电压采样频率为5000kHz)。

当电流等级较小时，整个电路的设计更加紧凑，电压测量的振荡幅度较小，只有±0.5mV(本案电压为0.6265V~0.6275V)；而90kW3000A由于电流等级高、样品体积大、电路设计复杂等原因，测试设备达到了测量振荡±4mV(此电压范围为0.618V~0.626V，主要集中在0.620V~0.624V)。

一般对硅基装置如IGBT而言，PN-2mV/℃测量噪声引起的结温测量误差分别为±0.25℃和±2℃。温度测量误差将直接导致热阻测量结果和功率循环寿命评估误差。虽然通过软件滤波可以达到一定的效果，但重要的信息可能会丢失，特别是在短时间的温度测量中，这也将讨论其准确测量温度的意义。

因此，不建议通过软件滤波器实现高信噪声比，建议通过上述硬件方法实现低噪声测量。在鸿怡电子测试座socket行业应用中，结合客户的实际反馈，整理了几款测试案例（仅供参考）

1、高功率测试座：TO247 socket

2、电感芯片测试座socket